MT53E1G32D2FW-046 WT:B vs WT:A Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT53E1G32D2FW-046 WT:B от Micron Technology и WT:A от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | MT53E1G32D2FW-046 WT:B | WT:A |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $98,44 | $9,85 |
| Тип памяти | Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM) | Mobile LPDDR4 SDRAM |
| Memory Capacity | 32 Gbit (4 GB) | — |
| Организация памяти | 1G x 32 | 1536M x 32 |
| Interface / Bus Width | Parallel, 32-bit | — |
| Clock Frequency (max) | 2.133 GHz (2133 MHz) | — |
| Data Rate (per pin) | 4266 MT/s | — |
| Clock Access Time (tCK) | 3.5 ns | — |
| Speed Bin | -046 | — |
| Supply Voltage VDD2 | 1.1 V | 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) |
| Supply Voltage VDDQ | 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4) | 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) |
| Корпус | 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-ball TFBGA |
| Рабочая температура | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Configuration | Dual-Die Package (DDP) | — |
| On-Die Features | Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 48 Gbit (6 GB) |
| Maximum Data Rate | — | 2.133 GHz |
| Speed Bin Suffix | — | -046 (2133 MHz) |
| Supply Voltage VDD1 | — | 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Интерфейс | — | LPDDR4 command/address + 32-bit DQ |
| JEDEC Standard | — | JESD209-4 (LPDDR4) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh per JEDEC |